技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 140pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 15000 mW
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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Harris | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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2N6784
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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2N6784
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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IRFF210
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TT Electronics Resistors | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-39
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IRFF210
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-39
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