技术参数/漏源极电阻: 1.50 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 15.0 W
技术参数/产品系列: IRFF210
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.25 A
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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Harris | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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2N6784
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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2N6784
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
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IRFF210
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TT Electronics Resistors | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-39
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IRFF210
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-39
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IRFF210PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 N-CH 200V 2.25A
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