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型号: IXYN120N120C3
描述: IGBT Transistors
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封 装: SOT-227-4
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 1200 V

技术参数/额定功率(Max): 1200 W

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1200000 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: SOT-227-4

外形尺寸/封装: SOT-227-4

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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