技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 1200 V
技术参数/反向恢复时间: 195 ns
技术参数/额定功率(Max): 480 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 480 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 16.26 mm
外形尺寸/宽度: 5.3 mm
外形尺寸/高度: 21.46 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXGH40N60C2D1
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD
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