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型号： IXFX20N120

描述： IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3

货期：

包装方式： Tube

标准包装数： 1

1+:

￥ 159.6810

10+:

￥ 155.5154

50+:

￥ 152.3217

100+:

￥ 151.2109

200+:

￥ 150.3778

500+:

￥ 149.2670

1000+:

￥ 148.5727

2000+:

￥ 147.8784

价格	￥ 159.6810	￥ 155.5154	￥ 152.3217	￥ 151.2109	￥ 150.3778
起批量	1+	10+	50+	100+	200+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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规格参数
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 750 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 780 W

技术参数/阈值电压: 4.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 1.2 kV

技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.0 A

技术参数/输入电容(Ciss): 7400pF @25V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/工作结温(Max): 150 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 780W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-247-3

外形尺寸/封装: TO-247-3

物理参数/重量: 6 g

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2014/06/16

替代料

	型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
	IXFX20N120P	IXYS Semiconductor	类似代替	TO-247-3	IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 V	PDF

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