技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.57 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 780 W
技术参数/阈值电压: 6.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 1.2 kV
技术参数/漏源击穿电压: 1200 V
技术参数/上升时间: 45 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 11100pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 780W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 16.13 mm
外形尺寸/宽度: 5.21 mm
外形尺寸/高度: 21.34 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXFK20N120P
|
IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-264-3 |
Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-264
|
||
IXFX20N120
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V
|
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