技术参数/耗散功率: 190000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 1200 V
技术参数/反向恢复时间: 40 ns
技术参数/额定功率(Max): 190 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 190000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-268-3
外形尺寸/高度: 5.1 mm
外形尺寸/封装: TO-268-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXGT15N120BD1
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-268-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AA
|
||
IXGT15N120CD1
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-268-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AA
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价