技术参数/耗散功率: 100000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/反向恢复时间: 35 ns
技术参数/额定功率(Max): 100 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 100000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: End of Life
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC30UDPBF
|
IFA | 功能相似 |
INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
|
|||
IXDR30N120D1
|
IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-247 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价