技术参数/耗散功率: 25000 mW
技术参数/产品系列: IRGSL4062D
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/反向恢复时间: 89 ns
技术参数/额定功率(Max): 250 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/高度: 9.65 mm
外形尺寸/封装: TO-262-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRGS4062DTRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
IGBT Transistors IGBT DISCRETES
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