技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 38 W
技术参数/产品系列: IRG4RC10SD
技术参数/上升时间: 32.0 ns
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/长度: 6.73 mm
外形尺寸/高度: 1.24 mm
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STGD6NC60HDT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3
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