技术参数/漏源极电阻: 0.14 Ω
技术参数/耗散功率: 190 W
技术参数/输入电容: 2700pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 250 V
技术参数/漏源击穿电压: 250 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247
外形尺寸/封装: TO-247
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP254
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
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IRFP254PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
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IRFP254PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-247-3 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
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IRFP254PBF
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Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-247 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
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IRFP254PBF
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-247 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
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