技术参数/漏源极电阻: 140 mΩ
技术参数/耗散功率: 190W (Tc)
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 250 V
技术参数/输入电容(Ciss): 2700pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 190W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP254
|
International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
|
|||
IRFP254PBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
|
|||
IRFP254PBF
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-247-3 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
|
||
IRFP254PBF
|
Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-247 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
|
||
IRFP254PBF
|
LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-247 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价