技术参数/额定功率: 39 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.21 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 48 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.4A
技术参数/上升时间: 23 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 330pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 48 W
技术参数/下降时间: 23 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 48W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/长度: 6.73 mm
外形尺寸/宽度: 6.22 mm
外形尺寸/高度: 2.39 mm
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR120NTRPBF
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IFA | 类似代替 |
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
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IRFR120NTRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
|
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IRFR120NTRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
|
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IRFR120NTRRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | DPAK-252 |
场效应管(MOSFET) IRFR120NTRRPBF DPAK
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IRFR120NTRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
场效应管(MOSFET) IRFR120NTRRPBF DPAK
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IRFR120PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRFR120TRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
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IRFR120TRPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
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IRFR120TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252-3 |
TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
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