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型号: IRFR120NTRPBF
描述: 100V,9.4A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
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封 装: TO-252-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC): 100 V

技术参数/额定电流: 9.40 A

技术参数/漏源极电阻: 0.21 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 48 W

技术参数/产品系列: IRFR120N

技术参数/输入电容: 330pF @25V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/漏源击穿电压: 100 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.40 A

技术参数/上升时间: 23.0 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 330pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 48 W

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-252-3

外形尺寸/长度: 6.73 mm

外形尺寸/高度: 2.39 mm

外形尺寸/封装: TO-252-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRFR120NPBF IRFR120NPBF International Rectifier (国际整流器) 类似代替 TO-252-3
INFINEON IRFR120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 V
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-252-3
INFINEON IRFR120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 V
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IRFR120NTRRPBF IRFR120NTRRPBF Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-252-3
场效应管(MOSFET) IRFR120NTRRPBF DPAK
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IRFR120PBF IRFR120PBF International Rectifier (国际整流器) 功能相似 TO-252
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
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