技术参数/耗散功率: 2.5W (Ta), 42W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/输入电容(Ciss): 360pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.5 W
技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR420
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252 |
2.5A ， 500V ， 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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IRFR420
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252 |
2.5A ， 500V ， 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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IRFR420PBF
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VISHAY | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420PBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420PBF
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420TR
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420TR
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420TRLPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
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IRFR420TRLPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252 |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IRFR420TRRPBF
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Vishay Intertechnology | 完全替代 | DPAK |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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