技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 2.5 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.40 A
技术参数/上升时间: 8.6 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 360pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.5 W
技术参数/下降时间: 16 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQD4N50TM
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
N沟道 500V 2.6A
|
||
STD3NK50ZT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
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