技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 11.0 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 180 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 11.0 A
封装参数/封装: TO-247
外形尺寸/封装: TO-247
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFPC40PBF
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRFPC50
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-247 |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
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IRFPC50
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-247 |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
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IRFPC50
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
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IRFPC50LCPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-247 |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
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IXFH26N60Q
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IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V
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STW10NK60Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
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