技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 26.0 A
技术参数/额定功率: 360 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.25 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 360 W
技术参数/阈值电压: 4.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 26.0 A
技术参数/上升时间: 32 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 5100pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 360 W
技术参数/下降时间: 16 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 360W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/宽度: 5.3 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/重量: 6 g
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW20NM60FD
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
|
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