技术参数/额定电压(DC)： | 600 V |
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技术参数/额定电流： | 20.0 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.26 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 214 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/输入电容： | 1.30 nF |
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技术参数/栅电荷： | 37.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 600 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 600 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±30.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 20.0 A |
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技术参数/上升时间： | 12 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1300pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 214 W |
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技术参数/下降时间： | 22 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 214W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-247-3 |
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外形尺寸/长度： | 15.75 mm |
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外形尺寸/宽度： | 5.15 mm |
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外形尺寸/高度： | 20.15 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-247-3 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | 工业, Industrial, 电源管理, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STW12NK90Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
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STW13NK100Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V
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STW20NK50Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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