技术参数/额定电压(DC): 500 V
技术参数/额定电流: 17.0 A
技术参数/额定功率: 190 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.23 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 190 W
技术参数/阈值电压: 3.75 V
技术参数/输入电容: 2600 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/漏源击穿电压: 500 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 17.0 A
技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2600pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 190 W
技术参数/下降时间: 15 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 190W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 15.75 mm
外形尺寸/宽度: 5.15 mm
外形尺寸/高度: 20.15 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/06/16
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ETC | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS STW14NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
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