技术参数/额定功率: 3.1 W
技术参数/漏源极电阻: 7.1 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.1 W
技术参数/产品系列: IRFH7921
技术参数/阈值电压: 1.8 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 15.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1210pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PowerVDFN-8
外形尺寸/封装: PowerVDFN-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
CSD17551Q5A
|
TI (德州仪器) | 功能相似 | PowerTDFN-8 |
TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V
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