芯片AI顾问
技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.007 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.7 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 13.5A |
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技术参数/上升时间： | 15.5 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1272pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3 W |
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技术参数/下降时间： | 4.3 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | PowerTDFN-8 |
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外形尺寸/宽度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/封装： | PowerTDFN-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | 正在供货 |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFH7914TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | PowerVQFN-8 |
INFINEON IRFH7914TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 V
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CSD17507Q5A
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TI (德州仪器) | 类似代替 | PowerTDFN-8 |
30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V
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