技术参数/耗散功率: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1100pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDB045AN08A0
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | D2PAK-263 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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SIHF9Z34STRL-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | D2PAK |
SIHF9Z34STRL-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 13A, 60V, 3Pin D2PAK
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