技术参数/额定电压(DC): 75.0 V
技术参数/额定电流: 19.0 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 4.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 310 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 6.60 nF
技术参数/栅电荷: 92.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/漏源击穿电压: 75.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 80.0 A
技术参数/上升时间: 88 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 6600pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 310 W
技术参数/下降时间: 45 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 310W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR024NTRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
|
||
STB140NF75T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK
|
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