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技术参数/极性: N-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 150 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 50A
技术参数/上升时间: 11 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1820pF @75V(Vds)
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150000 mW
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/长度: 10.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.5 mm
外形尺寸/高度: 9.45 mm
外形尺寸/封装: TO-262-3
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IPB108N15N3G
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3-2 |
OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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