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型号： IPB108N15N3G
描述： OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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品 牌： Infineon (英飞凌)
封 装： TO-263-3-2
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
10.6  元 10.6元
5-49:
￥ 12.4020
50-199:
￥ 11.8720
200-499:
￥ 11.5752
500-999:
￥ 11.5010
1000-2499:
￥ 11.4268
2500-4999:
￥ 11.3420
5000-7499:
￥ 11.2890
≥7500:
￥ 11.2360
数量
5-49
50-199
200-499
500-999
1000-2499
价格
￥12.4020
￥11.8720
￥11.5752
￥11.5010
￥11.4268
价格 ￥ 12.4020 ￥ 11.8720 ￥ 11.5752 ￥ 11.5010 ￥ 11.4268
起批量 5-49 50-199 200-499 500-999 1000-2499
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技术参数/极性：

N-Channel

 

技术参数/耗散功率：

214 W

 

封装参数/引脚数：

3

 

封装参数/封装：

TO-263-3-2

 

外形尺寸/封装：

TO-263-3-2

 

其他/产品生命周期：

Active

 

其他/包装方式：

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准：

No SVHC

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IPP200N15N3G IPP200N15N3G Infineon (英飞凌) 功能相似 TO-220-3-123
150V,50A,N沟道功率MOSFET
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