技术参数/耗散功率: 250000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 1250 V
技术参数/额定功率(Max): 250 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-3-3
外形尺寸/高度: 18.9 mm
外形尺寸/封装: TO-3-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Rail
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FGA20S125P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-3-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
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||
FGA20S125P
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-3-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
|
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