技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 20.0 A
技术参数/漏源极电阻: 41.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 110W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±16.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1285pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 110 W
技术参数/耗散功率(Max): 110W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Intersil (英特矽尔) | 类似代替 |
20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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HUF76629D3S
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-252-3 |
20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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HUF76629D3S
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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HUF76629D3ST
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-252-3 |
HUF76629D3S: N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，100V，20A，52mΩ
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HUF76629D3ST
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
HUF76629D3S: N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，100V，20A，52mΩ
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IXFK48N50
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IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-264-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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SPP20N60S5
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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STP10P6F6
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
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