技术参数/额定电压(DC): 650 V
技术参数/额定电流: 20.0 A
技术参数/额定功率: 208 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 190 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 208 W
技术参数/阈值电压: 4.5 V
技术参数/输入电容: 3.00 nF
技术参数/栅电荷: 103 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.0 A
技术参数/上升时间: 25 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3000pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 208 W
技术参数/下降时间: 30 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 208W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10 mm
外形尺寸/宽度: 4.4 mm
外形尺寸/高度: 15.65 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP10P6F6
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
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