技术参数/额定电压(DC): 500 V
技术参数/额定电流: 14.0 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.4 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 190 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 2038pF @25V
技术参数/栅电荷: 64.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/漏源击穿电压: 500 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 14.0 A
技术参数/上升时间: 36 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2038pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 29 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 190 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247
外形尺寸/长度: 15.87 mm
外形尺寸/宽度: 5.31 mm
外形尺寸/高度: 20.7 mm
外形尺寸/封装: TO-247
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP460APBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-247-3 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
|
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IRFP460APBF
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-247-3 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRFP460APBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-247-3 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRFP460APBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-247 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRFP460APBF
|
LiteOn (光宝) | 类似代替 | TO-247-3 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRFP460APBF
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-247-3 |
VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
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ETC | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS STW14NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
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STW20NK50Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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