技术参数/正向电压: 1.7 V
技术参数/反向恢复时间: 75 ns
技术参数/正向电流: 3 A
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 125 A
技术参数/正向电压(Max): 1.7 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-201AD
外形尺寸/高度: 9.50 mm
外形尺寸/封装: DO-201AD
物理参数/重量: 1.12 g
其他/包装方式: Each
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Galaxy Semi-Conductor | 功能相似 |
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
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HY Electronic | 功能相似 |
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
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1N5407G
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Secos | 功能相似 |
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
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1N5407G
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DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
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1N5407G
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EIC | 功能相似 | DO-201AD |
TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
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Rectron Semiconductor | 功能相似 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307G 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307G 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
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Rectron | 功能相似 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307G 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
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HER307G
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Multicomp | 功能相似 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307G 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
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HER307G
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DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307G 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
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RGP30K
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | DO-201 |
DO-201AD 800V 3A 1.3V
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RGP30K
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-201AD |
DO-201AD 800V 3A 1.3V
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RGP30K
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | DO-201AD |
DO-201AD 800V 3A 1.3V
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UF5407-E3/54
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-201AD |
VISHAY UF5407-E3/54 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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UF5407-E3/54
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-201AD |
VISHAY UF5407-E3/54 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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