技术参数/输出电流: ≤10.0 A
技术参数/耗散功率: 42000 mW
技术参数/隔离电压: 2500 Vrms
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/工作温度(Max): 100 ℃
技术参数/工作温度(Min): -20 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 42000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 32
封装参数/封装: PowerDIP-32
外形尺寸/高度: 7.2 mm
外形尺寸/封装: PowerDIP-32
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
IGBT Transistors 600V 10A SPIM
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FSAM10SH60
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SPM32-AA |
智能功率模块（ SPM ） Smart Power Module (SPM)
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FSAM10SH60
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | PowerDIP-32 |
智能功率模块（ SPM ） Smart Power Module (SPM)
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FSAM10SH60A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SPM32-AA |
智能功率模块
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FSAM10SH60A
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SPM32-AA |
智能功率模块
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