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型号: FGB20N60SFD
描述: ON Semiconductor FGB20N60SFD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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封 装: TO-263-2
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率: 208000 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V

技术参数/反向恢复时间: 34 ns

技术参数/额定功率(Max): 208 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 208000 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-263-2

外形尺寸/长度: 10.67 mm

外形尺寸/宽度: 9.65 mm

外形尺寸/高度: 4.83 mm

外形尺寸/封装: TO-263-2

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Other Industrial

符合标准/RoHS标准:

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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