技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 8.60 A
技术参数/漏源极电阻: 15 mΩ
技术参数/极性: N-Channel, Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/阈值电压: 2.2 V
技术参数/输入电容: 2.09 nF
技术参数/栅电荷: 18.5 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 8.60 A, 6.30 A
技术参数/上升时间: 11.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 760pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 900 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.9 mm
外形尺寸/高度: 1.75 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STS8DNF3LL
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8
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