技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 8.00 A
技术参数/漏源极电阻: 0.02 Ω
技术参数/极性: N-Channel, Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±16.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 8.00 A
技术参数/上升时间: 32 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 800pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.6 W
技术参数/下降时间: 11 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6982AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 V
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FDS6982AS
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6982AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 V
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FDS6990A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 V
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