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型号: FDN360P
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封 装: SOT-23
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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
FDN360P FDN360P Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 SOT-23-3
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P FDN360P Rochester (罗切斯特) 功能相似 SuperSOT
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
PDF
FDN360P FDN360P ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SOT-23-3
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P FDN360P SHIKUES (时科) 功能相似 SOT-23
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
FDN360P_NL FDN360P_NL Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 SuperSOT
Single P-Channel PowerTrench MOSFET
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF International Rectifier (国际整流器) 功能相似 SOT-23-3
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF 英飞凌 功能相似 -
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Infineon (英飞凌) 功能相似 SOT-23-3
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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