技术参数/额定电压(DC): -30.0 V
技术参数/额定电流: -2.00 A
技术参数/漏源极电阻: 63.0 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 500 mW
技术参数/输入电容: 298 pF
技术参数/栅电荷: 6.20 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): -30.0 V
技术参数/漏源击穿电压: -30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.00 A
技术参数/上升时间: 13.0 ns
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SUPERSOT
外形尺寸/封装: SUPERSOT
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDN360P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SuperSOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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SHIKUES (时科) | 功能相似 | SOT-23 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P_NL
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SuperSOT |
Single P-Channel PowerTrench MOSFET
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IRLML5203TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TRPBF
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英飞凌 | 功能相似 | - |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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