技术参数/额定电流: 225 mA
技术参数/电容: 5.00 pF
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/针脚数: 3
技术参数/正向电压: 1.25V @200mA
技术参数/耗散功率: 225 mW
技术参数/反向恢复时间: 50 ns
技术参数/正向电流: 225 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 625 mA
技术参数/正向电压(Max): 1.25 V
技术参数/正向电流(Max): 225 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.01 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BAS21SLT1
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
双系列高压开关二极管 Dual Series High Voltage Switching Diode
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAV23S
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-236 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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AnBon (台湾安邦) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAV23S
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAV23S
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Continental Device | 功能相似 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAV23S
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAV23S
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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