技术参数/针脚数: 3
技术参数/正向电压: 1.25V @200mA
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/反向恢复时间: 50 ns
技术参数/正向电流: 200 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 9 A
技术参数/正向电压(Max): 1.25 V
技术参数/正向电流(Max): 200 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温: 150℃ (Max)
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.92 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAV23S/DG
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
DIODE 0.125 A, 250 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
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CMPD2003S
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
DIODE GEN PURP 200V 200mA SOT23
|
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MMBD353LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MMBD353LT1G 系列 7 V 10 uA 表面贴装 双 热载流子 混频器 二极管 - SOT-23-3
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||
MMBD355LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
On Semiconductor RF（射频）二极管，适用于 HF、射频及微波混合和检测应用。 ### 标准 带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。 ### 二极管和整流器，ON Semiconductor
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