技术参数/额定功率: 1.3 W
技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.5A
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1450pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/下降时间: 29 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.1W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOP-6
外形尺寸/封装: TSOP-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3443T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
|
||
SI3433CDV-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
|
||
SI3433CDV-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TSOP-6 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
|
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