技术参数/频率: 945 MHz
技术参数/耗散功率: 79000 mW
技术参数/输出功率: 60 W
技术参数/增益: 14.3 dB
技术参数/测试电流: 100 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 83pF @28V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 165 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 79000 mW
技术参数/额定电压: 65 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: PowerSO-10RF
外形尺寸/封装: PowerSO-10RF
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 165℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PD57060-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | PowerSO-10RF |
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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PD57060-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | PowerSO-10RF |
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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PD57060S-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | PowerSO-10RF |
60W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管
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