技术参数/频率： | 945 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 65.0 V |
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技术参数/额定电流： | 7 A |
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技术参数/耗散功率： | 79 W |
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技术参数/输入电容： | 83 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 65 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 7.00 A |
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技术参数/输出功率： | 60 W |
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技术参数/增益： | 14.3 dB |
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技术参数/测试电流： | 100 mA |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 83pF @28V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 165 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 79000 mW |
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技术参数/额定电压： | 65 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | PowerSO-10RF |
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外形尺寸/长度： | 9.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 7.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 3.6 mm |
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外形尺寸/封装： | PowerSO-10RF |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 165℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PD57060-E
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | PowerSO-10RF |
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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