技术参数/测试电流: 5 mA
技术参数/稳压值: 24 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-236
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: TO-236
物理参数/温度系数: 20.4 mV/℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C22
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22
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Multicomp | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C22LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BZX84C22LT1G 单管二极管 齐纳, BZX84C, 22 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
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Central Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
350毫瓦表面贴装齐纳二极管 350 mW Surface Mount Zener Diodes
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BZX84C24
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Blue Rocket Electronics (蓝箭) | 类似代替 | SOT-23 |
350毫瓦表面贴装齐纳二极管 350 mW Surface Mount Zener Diodes
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BZX84C24
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Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 |
350毫瓦表面贴装齐纳二极管 350 mW Surface Mount Zener Diodes
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BZX84C24LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BZX84C24LT1G 单管二极管 齐纳, 24 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
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FMS (美丽微) | 功能相似 | SOT-23-3 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C27
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EIC | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C27
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Multicomp | 功能相似 | SOT-23 |
350mW，BZX84C 系列，Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳：SOT-23 ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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BZX84C27LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BZX84C27LT1G 单管二极管 齐纳, BZX84C, 27 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
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