技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 36 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @500mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 36 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 140
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 36000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BD436S
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126
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BD436STU
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
NPN功率晶体管 NPN power transistor
|
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|
CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-126 |
NPN功率晶体管 NPN power transistor
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BD441
|
Multicomp | 功能相似 | TO-126 |
NPN功率晶体管 NPN power transistor
|
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BD441
|
CDIL | 功能相似 |
NPN功率晶体管 NPN power transistor
|
|||
BD441
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN功率晶体管 NPN power transistor
|
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BD441G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-225-3 |
ON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
|
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TIP48G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220AB
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