技术参数/频率： | 3 MHz |
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技术参数/耗散功率： | 36 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 32 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @10mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 36 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 36000 mW |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-126-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-126-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Rail, Tube |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BD436S
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-126-3 |
TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
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CJ (长电科技) | 类似代替 | TO-126 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
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BD441
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Multicomp | 类似代替 | TO-126 |
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
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