技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 420
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Power Management, Industrial, Audio
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC858C
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VISHAY (威世) | 完全替代 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC858C
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Panjit (强茂) | 完全替代 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC858CLT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23 |
ON SEMICONDUCTOR BC858CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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Kexin | 功能相似 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859BMTF
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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BC859C
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VISHAY (威世) | 功能相似 | 3 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859C
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859C
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC860C
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23 |
NXP BC860C 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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BC860C
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Kexin | 完全替代 |
NXP BC860C 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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