技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/增益频宽积: 100 MHz
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC858C
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VISHAY (威世) | 完全替代 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC858C
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Panjit (强茂) | 完全替代 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC858CLT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23 |
ON SEMICONDUCTOR BC858CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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Kexin | 功能相似 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859BMTF
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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BC859C
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VISHAY (威世) | 功能相似 | 3 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859C
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC859C
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC860C
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23 |
NXP BC860C 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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BC860C
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Kexin | 完全替代 |
NXP BC860C 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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