技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 65 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @2mA, 5V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 200 @2mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/长度: 2.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC846BW,115
|
Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-323-3 |
Nexperia BC846BW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
|
||
BC846BWT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
NPN 晶体管，ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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