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型号: APT100GT60JR
描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 4Pin SOT-227
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封 装: SOT-227
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC): 600 V

技术参数/额定电流: 148 A

技术参数/耗散功率: 500000 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V

技术参数/输入电容(Cies): 5.15nF @25V

技术参数/额定功率(Max): 500 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 500000 mW

封装参数/安装方式: Screw

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-227

外形尺寸/封装: SOT-227

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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