技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 40000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 4A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @1.5A, 3V
技术参数/额定功率(Max): 40 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 40000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/高度: 11.2 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Rail
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSE800STU
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-126-3 |
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
|
||
MJE800STU
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
MJE800STU
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价